"NAND" أول ذاكرة فلاش بسرعة 128 غيغابايت

أعلنت شركة 'إنتل' الأميركية؛ إحدى كبرى الشركات العالمية في تصنيع رقاقات ومعالجات أجهزة الكمبيوتر، بالتعاون مع شركة 'مايكرون تكنولوجي' أكبر منتج لرقائق الذاكرة الإلكترونية في الولايات المتحدة الأميركية، عن معيار جديد في تكنولوجيا 'NAND' فلاش يتمثل في أول ذاكرة فلاش تعمل بتقنية 20 نانومتر بسرعة 128 غيغابايت وبسعة 16 غيغابايت، وذلك ضمن شراكتهما من خلال مشروع 'joint IM Flash Technologies'، باستخدام تقنية الخلايا متعددة المستويات 'Multi-Level-Cell'-'MLC'، بدون الإشارة إلى عدد 'البيتات'-'Bits' لكل خلية. وهذه التقنية الجديدة تتيح الحصول على ذاكرة تخزين ذات كثافة أكبر وسرعة تبادل أعلى وسعة تخزين مضاعفة.

وتتميز الرقاقة ذات الـ128 غيغابايت، بإمكانية تكوين هيكل مكون من ثماني وحدات تخزينية بسعة 128 غيغابايت في حجم أصغر من عقلة الإصبع، حيث يمكنها تخزين بيانات تصل إلى واحد تيرابايت، وذلك وفقا للشركتين، كما تتسم بقدرتها على نقل بيانات بسرعة 333 ميجابايت في الثانية الواحدة، وذلك لدعم سرعة أداء التطبيقات بالهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوترات اللوحية ومحركات الأقراص الصلبة وكذلك الأجهزة المكتبية.

وتخطط الشركتان لإرسال عينات من منتجهما الجديد في مطلع كانون الثاني (يناير) للعام المقبل، على أن يبدأ الإنتاج الضخم لهذه الرقاقات في النصف الأول من العام نفسه.

وفي الوقت ذاته، قررت الشركتان إنتاج كميات كبيرة لخط إنتاجهما من رقاقات 'NAND' بسعة '64 غيغابايت' بتقنية 20 نانومتر.

ويذكر أن إنتاج شرائح الذاكرة 'NAND' يسير بوتيرة سريعة للغاية، ففي العام 2008 أنتجت الشركتان رقائق تعمل بتقنية 34 نانومتر، تلاها إنتاج ضخم من ذاكرات الفلاش بتقنية 25 نانومتر، بعدها نظيرتها بتقنية 22 نانومتر بسعة 8 غيغابايت، وها هي الآن تعلن عن جديدها بسعة 16 غيغابايت.

وتجدر الإشارة أن شركة سامسونغ أنتجت في منتصف تشرين الأول (أكتوبر) من العام الماضي أول ذاكرة 'NAND' للتخزين بسعة 8 غيغابايت باستخدام تقنية 20 نانومتر.

» ذاكرة فلاش مجزأة
» باحثون يطورون أول ذاكرة تخزين مرنة قابلة للطي
» قطار بسرعة 330 كلم يربط مدريد بفالنسيا